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Elektrische Vier-Punkt-Methode

Ein einfaches Verfahren zur Bestimmung von Oberflächen- und Schichtwiderständen stellt die elektrische Vier-Punkt-Methode dar, bei der vier äquidistant in einer Reihe angeordnete Elektroden (hier SiC-Spitzen) auf die Probe aufgesetzt werden. Durch die äußeren Spitzen wird ein Strom ein- und ausgespeist, während das innere Elektrodenpaar die Potentialdifferenz auf der Probenoberfläche abtastet. Die Potentialdifferenz wird durch eine Kompensationsschaltung stromlos gemessen. In ICR ist die Vier-Punkt-Methode mit einer Heizplatte (bis 500°C) kombiniert, so dass Änderungen des Widerstands als Funktion der Temperatur verfolgt werden können.

Die Anwendungen liegen in:

  • Bestimmung des temperaturabhängigen spezifischen Widerstands
  • Detektion von Drifteigenschaften
  • Aussagen zum Temperaturverhalten, Rekristallisation und Phasenneubildungen

Die Änderung des Schichtwiderstands eines mit TiAlN beschichteten Hartmetalls (PVD, 200 nm) wurde als Funktion der Temperatur für mehrere Zyklen untersucht. Die anfangs deutliche Widerstandsänderung kann auf Rekristallisation des überwiegend amorph abgeschiedenen TiAlN zurückgeführt werden

 

 

 
 
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